En la presente Tesis se han caracterizado y optimizado celdas solares p-i-n de silicio amorfo hidrogenado (a-Si: H) mediante el empleo de tecnicas numericas. El a-Si: H es un material atractivo para celdas solares porque puede ser depositado en grandes areas y a bajas temperaturas lo que permite reducir sus costos de fabricacion. La calidad electrica del a-Si: H y la eficiencia de conversion de sus celdas solares depende criticamente de la densidad de defectos (DOS) presente en la banda prohibida ("gap"). La DOS se evalua recurriendo a modelos de primeros principios conocidos con el nombre.
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